NP SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR RANSISTOR PNP SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL sompl. of 2N 5449 and 2N 5450 *2N 5447 *2N 5448 2 Preferred device Dispositif recommand Driver stages andpower stages in AF amplifiers ~25V 2N 5447 Etages Drivers et de puissance pour VcEO amplifiacteurs BF -~30V 2N 5448 Ic 200 mA ho E 60-300 2N 5447 (~50 mA) 30-150 2N 5448 fy 100 MHz min. laximum power dissipation Plastic case F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages issipation de puissance maximale Boftier plastique Voir dessin cot CB-76 . dernires pages "ot {w) 0,3 I LDN ce \ B 0,1, N olL_t be Weight : 0,3 g. Collector is connected to case 50 100 180 Tamb!C) Masse Le collecteur est reli au boitier BSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T. b= +25 C (Unless otherwise stated) ALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION am (Seuf indications contraires} 2N 5447 = 2N 5448 dllector-base volta sion collectourbtes Veso ~40 50 Vv rilector-emitter voltage Vv nsion collecteur-6metteur cEO 25 30 Vv nitter-base voltage Vv i _ nsion metteur-base EBO 5 5 Vv lector current wrant collectour lc 200 200 mA ak collector current vurant de crte de collecteur low 600 600 mA ywer dissipation P ssipation de puissance tot 0,3 0,3 Ww inction temperature . mprature de jonction max, Tj 150 150 c orage temperature min. T 55 55 C mprature de stockage max, stg +150 +150 76-20 1/2 Z THOMSON-CSF OMSION SEMOONDUCTEURS 293 2N 5447, 2N 5448 STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires, Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current Vop = 20V Courant rsiduel collecteur-base lp =0 cBo ~100 nf Emitter-base cut-off current Veg =-3V Courant rsiduel metteur-base I c =0 lEBo 100 n Coliector-base breakdown voltage Ic =0,1 ma ViBR)cBO 2N 5447 | 40 \ Tension de claquage collecteur-base le =0 2N 5448 | --50 Collector-emitter breakdown voltage | ! =10mA 2N 5447 | 25 Tension de claquage collecteur-metteur Ip = Vier icec* on 5448 | 30 \ Emitter-base breakdown voltage le =-0,1mA | y oo Tension de claquage metteur-base le =0 (BRIEBO 5 \ Static forward current transfer ratio Vae =-5V * 2N 5447 | 60 300 ie CE h 7 Vala ae de ste 21E direct du courant RR | | = -60mA 2N 5448 | 30 150 Coltector-emitter saturation voltage Io =-50mA * Tension de saturation collecteur-metteur lp =-SmA VoEsat 0,25 \ Base-emitter voltage Voge =-5V * Tension base-metteur I = ~50 mA Vee 0,6 -1 \ DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES ; ' Voge =5V ransition frequency =o f. Frquence de transition ic 50 mA T 100 MH f = 50 MHz Van =-10V Forward current transfer ratio CB =0 c. 12 Rapport de transfert direct du courant ie = 22b p ft =1 MHz * Pulsed tp =300us & 2% impulsions 2/2 294